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西門子伺服驅(qū)動(dòng)模塊的維修方法和故障判斷
點(diǎn)擊次數(shù):8598 更新時(shí)間:2014-11-19

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近年來西門子公司Sinumerik數(shù)控系統(tǒng)在制造業(yè)各種加工設(shè)備中的應(yīng)用越來越廣泛。SimoDrive61 l變頻系統(tǒng)是Sinumerik數(shù)控系統(tǒng)中zui重要的組成部分,但是611系統(tǒng)對(duì)使用環(huán)境的要求相對(duì)較高,電網(wǎng)質(zhì)量、環(huán)境溫濕度及灰塵等因素都對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行造成很大影響,特別是伺服驅(qū)動(dòng)模塊和電源模塊的故障率比較高,大功率IGBT元件很容易損壞。

筆者公司目前擁有西門子各類數(shù)控系統(tǒng)近百臺(tái)、套,因此對(duì)伺服電源模塊和驅(qū)動(dòng)模塊的維修就顯得特別重要。本文結(jié)合自身的維修經(jīng)驗(yàn),主要介紹西門子6SNl 123驅(qū)動(dòng)模塊的一般維修方法。因?yàn)?SNI 145電源模塊與驅(qū)動(dòng)模塊的電路結(jié)構(gòu)基本相同,電源模塊實(shí)現(xiàn)整流,驅(qū)動(dòng)模塊實(shí)現(xiàn)逆變,其大功率IGBT及其驅(qū)動(dòng)電路*一樣,因此具有同樣的借鑒意義。

1 驅(qū)動(dòng)模塊的基本電路結(jié)構(gòu)

驅(qū)動(dòng)模塊的結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單,分為控制模塊和功率模塊兩部分,控制模塊接收CPU的控制指令及外部反饋信號(hào),產(chǎn)生PWM波,實(shí)際應(yīng)用中故障率很低,在此不做介紹。功率模塊接收PWM波經(jīng)門極驅(qū)動(dòng)電路放大后觸發(fā)IGBT元件,將600 V直流電逆變生成三相交流電驅(qū)動(dòng)伺服電動(dòng)機(jī)。功率模塊的故障率較高,驅(qū)動(dòng)模塊故障的90%均為功率模塊故障,驅(qū)動(dòng)模塊的維修重點(diǎn)就是功率模塊的維修。圖1為驅(qū)動(dòng)模塊的電路示意圖。

圖1驅(qū)動(dòng)模塊結(jié)構(gòu)示意圖

由圖1可知,Cl、C2和R1、It2組成濾波電路;V1~V6六只IGBT管組成了三相橋式逆變電路,它是驅(qū)動(dòng)模塊的核心電路之一,有規(guī)律地控制IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷,就可以得到任意頻率的三相交流輸出。IGBT管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間,其電壓和電流的變化率非常大,可能使IGBT管受到損害,因此,每個(gè)IDBT管旁邊接人由C01一C06和R01~R06組成的保護(hù)電路。IGBT管每次由導(dǎo)通到截止的瞬間,集電極和發(fā)射極間的電壓將迅速由0 V上升為直流母線電壓Ud,C01~C06可以減小這種過高的電壓增長(zhǎng)率;同時(shí),IDBT管由截止到導(dǎo)通的瞬間,C01~C06所充的電壓將對(duì)V1~V6放電,此放電電流的初值很大,R01~R06可以限制C01一C06的瞬間放電電流,防止IGBT管損壞。

功率模塊故障基本都是IGBT功率元件損壞,主要原因?yàn)镮GBT元件自身失效或驅(qū)動(dòng)電路故障導(dǎo)致IGBT元件燒毀,而一般IGBT元件的故障都會(huì)導(dǎo)致其驅(qū)動(dòng)電路的損壞,這一點(diǎn)在驅(qū)動(dòng)模塊的維修中非常重要。關(guān)于IGBT及其門極驅(qū)動(dòng)電路的維修在下面詳細(xì)介紹。

2 IGBT元件的檢修

2.1 IGBT元件簡(jiǎn)介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

西門子功率模塊中的IGBT元件一般選用eupee或infineon系列,也有使用富士系列的,其基本結(jié)構(gòu)都是相同的。如圖2所示,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0 V,則MOS截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極一發(fā)射極間施加十幾伏的直流電壓,只有肚級(jí)的漏電流流過,基本上不消耗功率。

圖2 IGBT的等效電路

IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般為20~30 V,因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。在使用IGBT元件時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,或者先釋放靜電然后再觸摸。IGBT元件的散熱不良也是導(dǎo)致其失效的重要原因。IGBT元件與散熱片接觸不好或散熱風(fēng)扇損壞都將導(dǎo)致IGBT元件發(fā)熱過高而發(fā)生故障。另外,伺服電動(dòng)機(jī)短路,對(duì)地絕緣不好,電動(dòng)機(jī)堵轉(zhuǎn),外部電源電壓過高及驅(qū)動(dòng)電路故障等都有可能造成IGBT元件的損壞。

2.2 IGBT元件的檢測(cè)

IGBT元件可以通過晶體管特性測(cè)定裝置檢測(cè)G、E及C、E問的漏電流來判斷好壞。一般情況下,使用數(shù)字式萬(wàn)用表即可進(jìn)行簡(jiǎn)單的故障判定。具體方法如下:

(1)G、E間的檢測(cè):如圖3所示,將C、E間短接,測(cè)量G、E間的電阻值。注意不要在G、E間加超過±20 V的電壓,萬(wàn)用表要確認(rèn)內(nèi)部電池電壓不超過20V。無論萬(wàn)用表正負(fù)表筆如何連接,檢測(cè)的電阻值始終為數(shù)十兆歐至無窮大,則IGBT元件基本正常,否則損壞的可能性很大。

圖3 G、E間的檢測(cè)

(2)C、E間的檢測(cè):如圖4所示,將G、E間短接,測(cè)量C、E間的電阻值。集電極接萬(wàn)用表正極,發(fā)射極接萬(wàn)用表負(fù)極,如果相反,則FWD導(dǎo)通,C、E間為短路狀態(tài)。如果檢測(cè)的電阻值在數(shù)十兆歐至無窮大,則IGBT元件基本正常,否則損壞的可能性很大。

圖4 C、E間的檢測(cè)

上述兩種檢測(cè)方法,任何一種檢測(cè)結(jié)果異常,均可判定IGBT元件故障,直接更換即可。

3 IGBT元件的檢修

西門子驅(qū)動(dòng)模塊的門極驅(qū)動(dòng)電路采用典型的光耦隔離驅(qū)動(dòng)電路,其原理圖如圖5所示。由于IGBT是高速器件,所選用的光耦U5(4 514 V)是一種高速型光耦,控制模塊輸出的PWM方波信號(hào)經(jīng)過光耦傳遞至整形放大電路D5(SIE20034),經(jīng)D5放大后驅(qū)動(dòng)由V56、V57組成的對(duì)管(V56、v57使用C63816、C63916開關(guān)管),對(duì)管的輸出經(jīng)電阻R52驅(qū)動(dòng)IGBT的門極。

圖5驅(qū)動(dòng)電路原理圖

造成驅(qū)動(dòng)損壞的原因有各種各樣的,一般來說當(dāng)驅(qū)動(dòng)模塊直流母線上快熔開路,或者是IGBT元件損壞的情況下,驅(qū)動(dòng)電路基本都不可能完好無損。切不可換上好的快熔或者IGBT元件直接上電啟動(dòng),這樣很容易造成剛換上的好的器件再次損壞。這個(gè)時(shí)候需要重點(diǎn)檢查驅(qū)動(dòng)電路是否正常,方法如下:

(1)先將IGBT元件的G、E腳與驅(qū)動(dòng)電路板脫開,用萬(wàn)用表電阻檔分別測(cè)量六路驅(qū)動(dòng)電路G、E腳的阻值是否都相同。萬(wàn)用表先正極接G負(fù)極接E,然后反過來再測(cè)量,兩種狀態(tài)如果某路阻值明顯不同,則此路的元件肯定有損壞。

(2)如果六路阻值都基本相同,接下來需要加電測(cè)試:使用示波器測(cè)量六路驅(qū)動(dòng)電路上電壓是否相同,當(dāng)給定一個(gè)啟動(dòng)信號(hào)時(shí)六路驅(qū)動(dòng)電路的波形是否一致。如果沒有示波器的話,也可以使用數(shù)字式萬(wàn)用表來測(cè)量驅(qū)動(dòng)電路的直流電壓。

具體方法是:首先給SIE20034的4、6腳加上工作電壓,測(cè)量驅(qū)動(dòng)電路輸出端的電壓,即G和E之間的電壓,應(yīng)該均為負(fù)值(測(cè)G端以E端為基準(zhǔn)),一般約為負(fù)5 V左右,如果某一電路不能產(chǎn)生負(fù)偏電壓,則驅(qū)動(dòng)電路一開就會(huì)損壞IGBT元件。然后在光耦4 514 V的2、3腳卜加一個(gè)約5 V、20 mA的正信號(hào),使光耦導(dǎo)通,此時(shí)輸出電壓應(yīng)為正值,一般為正8—10 V左右,此時(shí)如可以明顯地看到隨著光耦輸入信號(hào)的有無,輸出端的電壓在正負(fù)之間變動(dòng),則該通道正常。用此方法分別對(duì)6路通道進(jìn)行測(cè)試,結(jié)果一樣則呵以基本認(rèn)定控制回路正常。

(3)將IGBT元件連接到驅(qū)動(dòng)電路上,在直流母線上先加上直流30 V電壓替代原來的600 V高壓,依次檢測(cè)每一路IGBT元件的通斷情況。為了確保安全,還可以在IGBT元件與濾波大電容之間串聯(lián)一組燈泡做假負(fù)載來驗(yàn)證,通電后如果燈泡亮度很大說明電路有短路情況,這樣可以保護(hù)IGBT元件不被大電容的放電電流燒壞。

經(jīng)過檢查發(fā)現(xiàn)某一路驅(qū)動(dòng)電路有異常時(shí),可以用比較法(測(cè)量阻值或電壓)與正常電路進(jìn)行逐點(diǎn)比較,zui終找出損壞的元件進(jìn)行更換,直到測(cè)試結(jié)果與正常電路一樣為止。因?yàn)轵?qū)動(dòng)電路的元器件并不多,這種方法找到故障點(diǎn)并不困難。實(shí)際維修中4 515 V光耦比較容易損壞,驅(qū)動(dòng)電路的元件價(jià)格一般不是很高,象光耦這樣的器件隨著使用時(shí)間的增加性能會(huì)逐步變差,一般可以直接更換。實(shí)際維修中,光耦也可以用HP4506替代使用。

4 結(jié)語(yǔ)

611驅(qū)動(dòng)模塊按照功率不同其價(jià)格一般在數(shù)萬(wàn)元左右,隨著西門子新一代S120驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的推廣應(yīng)用,611驅(qū)動(dòng)模塊的備件采購(gòu)價(jià)格將會(huì)越來越高。我公司通過對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊、電源模塊開展芯片級(jí)維修,既降低了備件的采購(gòu)量,又節(jié)省了大基的維修費(fèi)用,縮短了設(shè)備的維修時(shí)間,取得了良好的經(jīng)濟(jì)效益。

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